GE DS200TCCAF1B DS200TCCAF1BDF EEprom W/FW TCCA 4.6
توضیحات
ساخت | GE |
مدل | DS200TCCAF1B |
اطلاعات سفارش | DS200TCCAF1BDF |
کاتالوگ | Speedtronic Mark V |
توضیحات | GE DS200TCCAF1B DS200TCCAF1BDF EEprom W/FW TCCA 4.6 |
مبدا | ایالات متحده آمریکا (ایالات متحده آمریکا) |
کد HS | 85389091 |
بعد | 16*16*12 سانتی متر |
وزن | 0.8 کیلوگرم |
جزئیات
DS200TCCAF1BDF که توسط جنرال الکتریک به عنوان بخشی از سری Speedtronic MKV توسعه یافته است، یک برد مدار ورودی/خروجی است و در هسته C پنل GE MKV قرار دارد. عملکرد اصلی نظارت بر ترموکوپل ها، RTD ها، ورودی های میلی آمپر، فیلتر اتصال سرد، نظارت بر ولتاژ شفت و جریان است.
دارای یک ریزپردازنده 80196 و چندین ماژول PROM و همچنین یک LED و 2 کانکتور 50 پین است. شناسه های کانکتورهای 50 پین JCC و JDD هستند. از آنجایی که این برد با یک ریزپردازنده طراحی شده است، مهم است که برد در دمای خنک نگه داشته شود تا ریزپردازنده بتواند به طور دقیق کار کند و همچنین عمر ریزپردازنده را افزایش دهد. گرمای بیش از حد می تواند به ریزپردازنده آسیب برساند یا منجر به پردازش نادرست شود. درایو باید در مکانی با هوای خنک تمیز و عاری از گرد و غبار و کثیفی نصب شود. اگر درایو روی دیوار نصب شود، دیوار نمی تواند تجهیزات تولید گرما را در طرف دیگر آن داشته باشد.
DS200TCCAF1B که توسط جنرال الکتریک به عنوان بخشی از سری Speedtronic MKV توسعه یافته است، یک برد مدار ورودی/خروجی است و در هسته C پنل GE MKV قرار دارد. عملکرد اصلی نظارت بر ترموکوپل ها، RTD ها، ورودی های میلی آمپر، فیلتر اتصال سرد، نظارت بر ولتاژ شفت و جریان است. دارای یک ریزپردازنده 80196 و چندین ماژول PROM و همچنین یک LED و 2 کانکتور 50 پین است.
شناسه های کانکتورهای 50 پین JCC و JDD هستند. از آنجایی که این برد با یک ریزپردازنده طراحی شده است، مهم است که برد در دمای خنک نگه داشته شود تا ریزپردازنده بتواند به طور دقیق کار کند و همچنین عمر ریزپردازنده را افزایش دهد. گرمای بیش از حد می تواند به ریزپردازنده آسیب برساند یا منجر به پردازش نادرست شود. درایو باید در مکانی با هوای خنک تمیز و عاری از گرد و غبار و کثیفی نصب شود. اگر درایو روی دیوار نصب شود، دیوار نمی تواند تجهیزات تولید گرما را در طرف دیگر آن داشته باشد.